型号 | RJK6025DPD-00#J2 |
厂商 | Renesas Electronics America |
描述 | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
RJK6025DPD-00#J2 PDF | |
代理商 | RJK6025DPD-00#J2 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | * |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | * |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 37.5pF @ 25V |
功率 - 最大 | 29.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | MP-3A |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | RJK6025DPD-00#J2-ND RJK6025DPD-00#J2TR |